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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FMG2G150US60E |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 7PM-GA, 7 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | FMG2G150US60E |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G150US60E Rev. A
F
0.5
1
10
30
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
1
10
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 150A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 150A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Toff
Tf
S
Gate Resistance, R
g
[
]
1
10
1000
10000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 150A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Eon
Eoff
S
Gate Resistance, R
G
[
]
40
60
80
100
120
140
10
100
Tr
Ton
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 2.0
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
Collector Current, I
C
[A]
40
60
80
100
120
140
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
Collector Current, I
C
[A]
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 2.0
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG2G150US60 | Molding Type Module |
| FMG2G200US60 | Molding Type Module |
| FMG2G300LS60E | Molding Type Module |
| FMG2G300US60E | Molding Type Module |
| FMG2G300US60 | Molding Type Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FMG2G300LS60E | 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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| FMG2G300US60E | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G300US60E_Q | 功能描述:IGBT 晶體管 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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