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參數資料
| 型號： | FMG2G200US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 726K |
| 代理商： | FMG2G200US60 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G200US60 Rev. A
F
25
50
75
100
125
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
100A
200A
400A
C
o
i
C
E
C
ase Tem
perature, T
C
[
℃
]
Common Emitter
V
GE
= 15V
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
V
G
E
= 10V
15V
12V
20V
Common Emitter
T
C
= 125
℃
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
o
C
u
C
]
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
V
G
E
= 10V
15V
12V
20V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
o
C
u
C
]
1
10
0
100
200
300
400
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
o
C
u
C
]
5
10
15
20
g[
]
25
30
100
1000
Tf
Toff
G
ate R
esistance, R
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 200A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
5
10
15
20
g[
]
25
30
100
1000
Tr
Ton
G
ate R
esistance, R
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 200A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 5. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 6. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 4. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG2G300LS60E | Molding Type Module |
| FMG2G300US60E | Molding Type Module |
| FMG2G300US60 | Molding Type Module |
| FMG2G400LS60 | Molding Type Module |
| FMG2G400US60 | Molding Type Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMG2G300LS60E | 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G300US60 | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G300US60E | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G300US60E_Q | 功能描述:IGBT 晶體管 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G400LS60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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