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參數資料
| 型號： | FMG2G200US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 726K |
| 代理商： | FMG2G200US60 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G200US60 Rev. A
F
0
1
2
3
4
0
100
200
300
400
500
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
a
u
]
Forw
ard Voltage, V
F
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
0
3
6
9
12
15
Common Emitter
I
C
= 200A
V
CC
= 300V
T
C
= 25
o
C
G
ate C
harge, Q
g
[nC
]
G
a
i
G
E
100
150
200
250
300
100
1000
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Tf
Toff
S
i
e
100
150
200
250
300
100
1000
Tr
Ton
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
100
150
200
250
300
1
10
100
Eoff
Eon
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
0
5
10
15
20
g[
]
25
30
1
10
Eoff
Eon
G
ate R
esistance, R
S
i
J
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 200A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Fig 7. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 11. Gate Charge Characteristics
Fig 12. Forward Characteristics(diode)
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 10. Switching Loss vs. Collector Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG2G300LS60E | Molding Type Module |
| FMG2G300US60E | Molding Type Module |
| FMG2G300US60 | Molding Type Module |
| FMG2G400LS60 | Molding Type Module |
| FMG2G400US60 | Molding Type Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMG2G300LS60E | 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G300US60 | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G300US60E | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G300US60E_Q | 功能描述:IGBT 晶體管 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G400LS60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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