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參數資料
| 型號： | FMM200-0075P |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Trench Power MOSFET |
| 中文描述： | 200 A, 75 V, 0.0045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ISOPLUS, I4PAC-5 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | FMM200-0075P |
1 - 2
2003 IXYS All rights reserved
Advanced Technical Information
3
3
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
FMM 200-0075P
I
D25
V
DSS
= 75 V
R
DSon
= 3.5 m
= 200 A
Trench Power MOSFET
-Phaseleg Topology-
in ISOPLUS i4-PAC
TM
with DAB Base
Features
trench MOSFET
- very low on state resistance R
DSon
-
fast body diode
DAB based ISOPLUS i4-PAC
TM
package
- isolated back surface
- low coupling capacity between pins
and heatsink
- enlarged creepage towards heatsink
- application friendly pinout
- low inductive current path
- extremely high reliability
- light weight
- industry standard outline
- UL registered E 72873
Applications
automobiles and industrial vehicles
- AC drives - starter generator for 42V etc.
- choppers - replacing series resistors
for DC drives, heating etc.
- DC-DC converters - between 12V
and 42V system etc.
- electronic switches -replacing relays
and fuses
power supplies
- DC-DC converters
- solar inverters
- converters for fuel cells
battery supplied systems
- choppers or inverters for drives in
hand held tools
- battery chargers
MOSFET T1/T2
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
T
VJ
= 25°C to T
VJmax
75
V
V
GS
±20
V
I
D25
I
D90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
200
160
A
A
I
F25
I
F90
(diode) T
C
= 25°C
(diode) T
C
= 90°C
185
125
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
R
DSon
V
GS
= 10 V;
I
D
= 1
0
0 A
3
.
5 4
.5 m
V
GSth
V
DS
= 20 V;
I
D
= 1 mA;
2
4
V
I
DSS
V
DS
= 75 V;
V
GS
= 0 V; T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
1
μA
mA
0.1
I
GSS
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
200
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
220
50
75
nC
nC
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
670
1020
1620
1170
ns
ns
ns
ns
V
F
(diode) I
F
= 150 A;
V
GS
= 0 V
1.1
1.6
V
t
rr
(diode) I
F
= 20 A;
-di/dt = 100 A/μs; V
DS
= 30 V
120
ns
R
thJC
R
thJS
0.55 K/W
tbd
K/W
V
GS
= 10 V; V
DS
= 60 V; I
D
= 25 A
V
= 10 V; V
= 30 V;
I
D
= 25 A; R
G
= 10
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15,
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
D-68623 Lampertheim
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670
T1
T2
1
5
3
4
2
1
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM300-0055P | Trench Power MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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