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參數資料
| 型號： | FMM5823X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | K-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | K波段單片功率放大器 |
| 文件頁數： | 12/15頁 |
| 文件大小： | 427K |
| 代理商： | FMM5823X |
12
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5823X
■
Chip Outline and Bonding Pad Locations (Dimension in Micro-Meters)
Chip Size : 3665
Chip Thickness : 60
±
Bonding Pad Size :
RF-Pad : 80um x 160um
VGG, VDD1~3 Pad : 80um x 80um
VDD4, VDD5 Pad : 160um x 80um
±
30um x 1250
20um
±
30um
Ｎｏｔｅ
: Drain voltage is required from either or both bonding pad( VDD4 or/and VDD5).
0
0
1250
1145
1250
1135
105
445
645
115
0
0
3665
3665
105
685
VGG
3560
2775
(VDD5)
2775
975
1545
2090
RF-IN
RF-OUT
VDD2
VDD3
VGG4
VDD1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM5826X | Ka-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM5829X | K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMM5826X | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:Ka-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM5829X | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM60-02TF | 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FMM65-015P | 功能描述:分立半導體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| FMM6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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