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參數資料
| 型號： | FMMT2907AR |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | FMMT2907AR |
SOT23 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
%
FEATURES
*
Fast switching
COMPLIMENTARY TYPES - FMMT2907
- FMMT2907A
FMMT2222
FMMT2222A
PARTMARKING DETAIL -
FMMT2907
FMMT2907A
FMMT2907R
FMMT2907AR 5P
2BZ
2F
4P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT2907
FMMT2907A
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-60
V
Collector-Emitter Voltage
-40
-60
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT2907
FMMT2907A UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-40
-60
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
-60
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
-5
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector-Emitter
Cut-Off Current
I
CEX
-50
-50
nA
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-20
-20
-10
-10
nA
μ
A
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
CB
=-50V, I
E
=0, T
amb
=150°C
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-0.1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-1mA, V
CE
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V
I
C
=-150mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-10V*
I
=-50mA, V
CE
=-20V
f=100MHz
Base Cut-Off Current I
B
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-50
-50
nA
V
CE(sat)
-0.4
-1.6
-0.4
-1.6
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.3
-2.6
-1.3
-2.6
V
V
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
35
50
75
100
30
300
75
100
100
100
50
300
Transition
Frequency
f
T
200
200
MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT2907
FMMT2907A
C
B
E
SOT23
PAGE NUMBER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT2907R | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
| FMMT38 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT38A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT38B | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT38C | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT2907ARTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT2907ARTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT2907ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT2907ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT2907R | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
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