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參數資料
| 型號： | FMMT4401-1L |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
| 中文描述： | 采用SOT23 NPN硅平面通用晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | FMMT4401-1L |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
ISSUE 4 FEBRUARY 1997
%
PARTMARKING DETAILS:
FMMT4400 - 1KZ
FMMT4401 - 1L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
60
V
Collector-Emitter Voltage
40
V
Emitter-Base Voltage
6
V
Continuous Collector Current
600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
FMMT4400
PARAMETER
SYMBOL
FMMT4401
UNIT CONDITIONS
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
40
40
V
I
C
=1mA, I
B
=0
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
60
60
V
I
C
=0.1mA, I
E
=0
Emitter-Base
Breakdown Current
V
(BR)EBO
6
6
V
I
E
=0.1mA, I
C
=0
Collector-Emitter
Cut-Off Current
I
CEX
0.1
0.1
μ
A V
CE
=35V
V
EB(off)
=0.4V
μ
A V
CE
=35V
V
EB(off)
=3V
I
C
=0.1mA, V
=1V
I
C
=1mA, V
CE
=1V
I
C
=10mA, V
CE
=1V
I
C
=150mA, V
CE
=1V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
Base Cut-Off
Current
I
BEX
0.1
0.1
Static Forward
Current
TransferRatio
h
FE
20
40
50
20
150
20
40
80
100
40
300
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.4
0.75
0.4
0.75
V
V
I
C
=150mA,I
B
=15mA*
I
C
=500mA,I
B
=50mA*
I
C
=150mA,I
B
=15mA*
I
C
=500mA,I
B
=50mA*
MHz I
=20mA,V
CE
=10V
f=100kHz
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.75
0.95
1.2
0.75
0.95
1.2
V
V
Transition
Frequency
f
T
200
250
Output Capacitance
C
obo
6.5
6.5
pF
V
=5 V,I
E
=0
f=100kHz
Input Capacitance
C
ibo
30
30
pF
V
=0.5V, I
C
=0
f=100kHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT4400
FMMT4401
C
B
E
PAGE NUMBER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT4401 | SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
| FMMT4400-1KZ | SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
| FMMT4403 | SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| FMMT4402 | SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| FMMT449 | NPN Low Saturation Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT4401TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4401TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4402 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| FMMT4402-2K | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| FMMT4402TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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