- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375860 > FMMT4403 (Electronic Theatre Controls, Inc.) SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMMT4403 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 中文描述： | SOT23封裝進步黨一般用途的硅平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | FMMT4403 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
ISSUE 2 - MARCH 1995
%
PARTMARKING DETAILS:
FMMT4402 - 2K
FMMT4403 - 2L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-40
V
Collector-Emitter Voltage
-40
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-600
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
FMMT4402
PARAMETER
SYMBOL
FMMT4403
UNIT CONDITIONS
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-40
-40
V
IC=-1mA, I
B
=0
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-40
-40
V
I
C
=-0.1mA, I
E
=0
Emitter-Base
Breakdown Current
V
(BR)EBO
-5
-5
V
IE=-0.1mA, I
C
=0
Collector-Emitter
Cut-Off Current
I
CEX
-0.1
-0.1
μ
A V
CE
=-35V
V
EB(off)
=-0.4V
μ
A V
CE
=-35V
V
EB(off)
=-0.4V
I
C
=-0.1mA, V
=-1V
I
C
=-1mA, V
CE
=-1V
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V
I
C
=-150mA,V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA,V
CE
=-2V*
Base Cut-Off
Current
I
BEX
-0.1
-0.1
Static Forward
Current
TransferRatio
h
FE
30
50
50
20
150
30
60
100
100
20
300
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.4
-0.75
-0.4
-0.75
V
V
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA*
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
MHz I
=-20mA,V
CE
=-10V
f=100MHz
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.75
-0.95
-1.3
-0.75
-0.95
-1.3
V
V
Transition
Frequency
f
T
150
200
Output Capacitance
C
obo
8.5
8.5
pF
V
=-10 V,I
E
=0
f=100kHz
Input Capacitance
C
ibo
30
30
pF
V
BE
=0.5V
I
C
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT4402
FMMT4403
C
B
E
PAGE NUMBER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT4402 | SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| FMMT449 | NPN Low Saturation Transistor |
| FMMT449 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMT5400 | SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| FMMT5401 | SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT4403-2L | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| FMMT4403TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4403TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT449 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT449TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。