- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375860 > FMMT5401 (ZETEX PLC) SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMMT5401 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| 中文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | FMMT5401 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ISSUE 4 - NOVEMBER 1996
%
PARTMARKING DETAILS -
FMMT5400 - 1LZ
FMMT5401 - Z2L
COMPLEMENTARY TYPES -
FMMT5400 FMMT5550
FMMT5401 FMMT5551
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT5400
FMMT5401
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
-130
-160
V
Collector-Emitter Voltage
-120
-150
V
Emitter-Base Voltage
-5
-5
V
Continuous Collector Current
-600
-600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range T
j
:T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
330
330
mW
-55 to +150
°C
FMMT5400
FMMT5401
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-130
-160
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-120
-150
V
I
C
=-1mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
-5
V
I
E
=-10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
-100
-50
-50
nA
μ
A
nA
μ
A
V
CB
=-100V
V
CB
=-100V, T
A
=100°C
V
CB
=-120V
V
CB
=-120V, T
A
=100°C
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
30
40
40
-180
50
60
50
240
I
C
=-1mA, V
CE
=-5V
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V
I
C
=-50mA, V
CE
=-5V
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
MHz I
=-10mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.2
-0.5
-0.2
-0.5
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
-1.0
-1.0
-1.0
V
V
Transition
Frequency
f
T
100
400
100
300
Output Capacitance
C
obo
h
fe
6.0
6.0
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
I
=-1mA, V
CE
=-10V
f=1KHz
I
C
=-250
μ
A, V
CE
=-5V,
R
S
=1K
f=10Hz to 15.7KHz
Small Signal
30
200
40
260
Noise Figure
NF
8
8
dB
Periodic Sample Test Only
FMMT5400
FMMT5401
C
B
E
PAGE NUMBER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT549 | PNP Low Saturation Transistor |
| FMMT549 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMT549A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMT551 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMT555 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT5401TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT5401TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT549 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT549_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor |
| FMMT549A | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。