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參數資料
型號: FMMT497
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
中文描述: 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 118K
代理商: FMMT497
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 3 DECEMBER 1995
%
COMPLIMENTARY TYPE
FMMT597
PARTMARKING DETAIL
497
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
300
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
300
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Continuous Collector Current
I
C
500
mA
Peak Pulse Current
I
CM
1
A
Base Current
I
B
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
300
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(sus)
300
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
100
nA
V
CB
=250V
V
CES
=250V
V
EB
=4V
I
C
=100mA, I
B
=10mA
I
C
=250mA, I
B
=25mA
I
C
=250mA, I
B
=25mA
Collector Cut-Off Current
100
nA
Emitter Cut-Off Current
100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
0.2
0.3
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.0
V
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=250mA, V
CE
=10V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
80
20
300
I
C
=1mA, V
=10V
I
C
=100mA, V
CE
=10V*
I
C
=250mA, V
CE
=10V*
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
75
MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
5
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
FMMT497
C
B
E
SOT23
3 - 125
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