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參數資料
型號: FMMT5209
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS
中文描述: 采用SOT23 NPN硅平面小信號晶體管
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 28K
代理商: FMMT5209
SOT23 NPN SILICON PLANAR
SMALL SIGNAL TRANSISTORS
ISSUE 2 - JULY 1995
%
PARTMARKING DETAILS:
FMMT5209 - 2Q
FMMT5210 - 2R
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT5209
FMMT5210
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
50
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
4.5
V
Continuous Collector Current
I
C
50
mA
Power Dissipation
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 TO +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT5209
FMMT5210
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Cut-Off Current
I
CBO
50
50
nA
V
CB
=35V, I
E
=0
Emitter-Base
Cut-Off Current
I
EBO
50
50
nA
V
EB
=3V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
700
700
mV
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Base-Emitter ON
Voltage
V
BE(on)
850
850
mV
I
C
=1mA, V
CE
=5V
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
100
300
200
600
I
C
=100
μ
A, V
CE
=5V
150
250
I
C
=1mA, V
CE
=5V
150
250
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
Transition Frequency f
T
30
30
MHz
I
=0.5mA, V
CE
=5V,
f=20MHz
Small Signal Current
Transfer Ratio
h
fe
150
600
250
900
MHz
I
C
=1mA, V
CE
=5V, f=1KHz
Noise Figure
N
3
2
dB
I
=200
μ
A, V
=5V, R
=2K
,
f=30Hz to 15KHz at -3dB
points
4
3
dB
I
C
=200
μ
A, V
CE
=5V, R
g
=2K
,
f=1KHz to
f=200Hz
Output Capacitance
C
obo
4
4
pF
V
CB
=5V, I
E
=0, f=140KHz
FMMT5209
FMMT5210
C
B
E
SOT23
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