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參數資料
| 型號： | FMMTH10 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | FMMTH10 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTOR
ISSUE 2 NOVEMBER 1995
FEATURES
*
High f
T
=650MHz
*
Maximum capacitance 0.7pF
*
Low noise < 5dB at 500MHz
PARTMARKING DETAIL
3EZ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Emitter Voltage
V
CES
30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
25
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
3
V
Continuous Collector Current
I
C
25
mA
Peak Pulse Current
I
CM
50
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
30
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
25
V
I
C
=1mA, I
B
=0
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
3
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=25V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
100
nA
V
EB
=2V,I
C
=0
I
C
=4mA, I
B
=0.4mA
Collector-Emitter Saturation
Voltage
0.5
V
Common Base Feedback
Capacitance
C
rb
Typ.
0.45
0.65
pF
V
=10V, I
E
=0
f=1MHz
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
0.95
V
I
C
=4mA, V
CE
=10V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
60
I
C
=4mA, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
650
MHz
I
C
=4mA, V
CE
=10V, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
I
C
=4mA, V
CB
=10V, f=31.8MHz
I
=2mA, V
CE
=5V
f=500MHz,
Collector Base Capacitance C
cb
Collector Base Time Constant r
b
C
c
Noise Figure
0.7
pF
9
ps
N
f
Typ.
3
5
dB
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMTH10
C
B
E
SOT23
3 - 181
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMTL618 | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL619 | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL717 | PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL718 | PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMV105G | TTL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMTH10TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTH10TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTL618 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL618TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTL618TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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