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參數資料
| 型號： | FMMTL618 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1250 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | FMMTL618 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
60
105
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
20
30
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
8.5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current I
CBO
Emitter Cut-Off Current
10
nA
V
CB
=16V
V
EB
=4V
V
CE
=16V
I
C
=100mA, I
B
=10mA*
I
C
=500mA, I
=25mA*
I
C
=1A, I
=100mA*
I
C
=1.25A, IB=100mA*
I
C
=2A, I
B
=200mA*
I
C
=1.25A, I
B
=100mA*
I
EBO
10
nA
Collector Cut-Off Current I
CES
Collector-Emitter
Saturation Voltage
10
nA
V
CE(sat)
18
80
130
170
260
35
160
200
280
350
mV
mV
mV
mV
mV
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1000
1100
mV
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
850
1000
mV
I
C
=1.25A, V
CE
=2V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
200
300
250
200
100
50
400
440
400
300
190
100
I
C
=10mA, V
CE
=2V
I
C
=200mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=3A, V
CE
=2V*
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
195
MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
9
12
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
72
388
ns
ns
I
C
=1A, V
=10V
I
B1
=-I
B2
=10mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMTL618
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PDF描述 |
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