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參數(shù)資料
型號(hào): FP15R06KL4
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述: 電氣個(gè)性的/電氣特性
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大小: 202K
代理商: FP15R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Z
t
t [s]
68 Ohm
I
C
V
CE
[V]
Transienter Wrmewiderstand Wechselr.
Z
thJH
= f (t)
Transient thermal impedance Inverter
0,100
1,000
10,000
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth-IGBT
Zth-FWD
i
1 2 3 4
IGBT: r
i
[K/W]: 156,8e-3 616,5e-3 784,7e-3 842e-3
i
[s]: 3e-6 10,16e-3 78,72e-3 225,6e-3
FWD: r
i
[K/W]: 261,3e-3 1,31 1,03 1,4
i
[s]: 3e-6 78,7e-3 10,2e-3 225,6e-3
Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)
I
C
= f (V
CE
)
Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)
T
vj
= 125°C, V
GE
= ±15V, R
G
=
0
5
10
15
20
25
30
35
0
100
200
300
400
500
600
700
IC,Modul
IC,Chip
8(12)
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PDF描述
FP15R12KE3G IGBT-Module
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參數(shù)描述
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FP15R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 15A 600V
FP15R06YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 22A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R06YE3_B4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R12KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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