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參數(shù)資料
型號(hào)： FPN430A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 48K
代理商： FPN430A
F
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
30
V
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0, T
A
= 100
°
C
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
35
5.0
V
V
nA
μ
A
nA
100
10
100
I
EBO
Emitter Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 100 mA, V
CE
= 2.0 V
430
430A
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
100
250
60
40
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
430
430A
I
C
= 2.0 A, I
B
= 200 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
500
450
800
1.25
1.0
mV
mV
mV
V
V
V
BE(
sat
)
V
BE(
on
)
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
obo
Output Capacitance
F
T
Transition Frequency
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
I
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
25
pF
MHz
100
PNP Low Saturation Transistor
(continued)
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
NOTE:
All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FPN530A NPN Low Saturation Transistor
FPN530 NPN Low Saturation Transistor
FPN560 NPN Low Saturation Transistor
FPN560A NPN Low Saturation Transistor
FPN630 PNP Low Saturation Transistor
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參數(shù)描述
FPN430A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN4-40SC 制造商:ROSAN (ALCOA) 功能描述:
FPN4-5716 制造商:RIEDON 制造商全稱(chēng):Riedon Powertron 功能描述:FPN FHN Networks Precision Shunt Networks
FPN530 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN530_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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