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參數資料
| 型號： | FPN430A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | FPN430A |
Typical Characteristics
Input/Output Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
0.1
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
10
20
50
100
0
20
40
60
80
100
120
C
V = 2.0V
f = 1.0MHz
C
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Current Gain vs Collector Current
600
V = 2.0V
00
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
100
200
300
400
500
H
F
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
TO-226
F
PNP Low Saturation Transistor
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPN530A | NPN Low Saturation Transistor |
| FPN530 | NPN Low Saturation Transistor |
| FPN560 | NPN Low Saturation Transistor |
| FPN560A | NPN Low Saturation Transistor |
| FPN630 | PNP Low Saturation Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FPN430A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN4-40SC | 制造商:ROSAN (ALCOA) 功能描述: |
| FPN4-5716 | 制造商:RIEDON 制造商全稱:Riedon Powertron 功能描述:FPN FHN Networks Precision Shunt Networks |
| FPN530 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN530_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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