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參數資料
| 型號： | FPN660A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
| 封裝： | TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FPN660A |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A2, November 2002
Thermal Characteristics
T
A
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Max.
Units
FPN660/FPN660A
1
50
125
P
D
R
θ
JC
R
θ
JA
Total Device Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
W
°
C/W
°
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPNH10 | NPN RF Transistor(NPN射頻晶體管) |
| FPR2-2614 | High Stability Extremly Low-Ohm |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FPN660A_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN660A_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN660A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN7-6516 | 制造商:RIEDON 制造商全稱:Riedon Powertron 功能描述:FPN FHN Networks Precision Shunt Networks |
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