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參數資料
| 型號： | FPNH10 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN RF Transistor(NPN射頻晶體管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | FPNH10 |
F
NPN RF Transistor
(continued)
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce = 5V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
20
0.05
0.1
0.15
0.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25
°
C
β
= 10
125
°
C
- 40
°
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0.1
1
10
I
V
= 30V
CB
C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 42
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
Power Dissipation
vs. Ambient Tem perature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
T - TEMPE RATURE ( C)
P
TO-92
o
D
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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