- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375875 > FQA11N90C (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 900V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQA11N90C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 900V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 707K |
| 代理商： | FQA11N90C |
Rev. A, December 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
0
10
20
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
30
40
50
60
70
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 450V
V
DS
= 180V
V
DS
= 720V
※
Note : I
D
= 11A
V
G
,
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA12P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQA12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQA13N50CF | 500V N-Channel MOSFET |
| FQA13N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQA13N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強型MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQA11N90C_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQA11N90C_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQA11N90C_F109 | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA11N90C-F109 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm |
| FQA11N90F109 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET?? MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 m?? |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。