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參數資料
| 型號： | FQA11N90C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 900V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 707K |
| 代理商： | FQA11N90C |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, December 2002
F
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
※
N otes :
1. Z
θ
2. D u ty F ac to r, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t) = 0.42
℃
/W M a x.
JC
(t)
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
Figure 8. On-Resistance Variation
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA12P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQA12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
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| FQA13N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQA13N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強型MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FQA11N90C_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
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| FQA11N90C-F109 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm |
| FQA11N90F109 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET?? MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 m?? |
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