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參數資料
| 型號： | FQA13N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 13.5 A, 500 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 677K |
| 代理商： | FQA13N50C |
Rev. A, October 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
※
1. V
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes ;
※
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
※
D
= 13.5A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA13N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQA13N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQA140N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQA14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQA15N70 | Wire-To-Board Connector; No. of Contacts:24; Pitch Spacing:0.1"; No. of Rows:2; Mounting Type:PCB Straight Thru Hole; Gender:Female; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQA13N50C_F109 | 功能描述:MOSFET 500V CFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA13N50CF | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch C-FET (FRFET) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA13N50CF_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQA13N50CF_F109 | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch C-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA13N80 | 功能描述:MOSFET TO-3P N-CH 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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