- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375875 > FQA30N40 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQA30N40 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 30 A, 400 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 732K |
| 代理商： | FQA30N40 |
4. 5#01&$
30
!
"
7
!
"#
70
33
03
33
03
;
# !"
# !"
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA32N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQA33N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQA33N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQA34N20L | LED 5MM QUAD SUP CLEAR RED PCMNT |
| FQA34N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQA32N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA33N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA33N10L | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA34N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA34N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。