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參數資料
| 型號： | FQA34N25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 34 A, 250 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 689K |
| 代理商： | FQA34N25 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, October 2001
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t) = 0 .5 1
℃
/W M a x.
J C
(t)
single pu lse
D =0 .5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [se c ]
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 17 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature.
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature.
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA35N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQA36P15 | 150V P-Channel MOSFET |
| FQA38N30 | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQA38N40 | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 2A 50V 50A-ifsm 0.92V-vf 25ns 5uA-ir SMB 3K/REEL-13 |
| FQA40N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQA35N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA36P15 | 功能描述:MOSFET 150V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA36P15 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FQA36P15_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V P-Channel MOSFET |
| FQA36P15_F109 | 功能描述:MOSFET 150V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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