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參數(shù)資料
| 型號： | FQA36P15 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 150V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 36 A, 150 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | FQA36P15 |
Rev. B, December 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
o
C
25
o
C
-55
o
C
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
,
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
-I
D
, Drain Current [A]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
,
-V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
= -75V
V
DS
= -120V
V
DS
= -30V
※
Note : I
D
= -36A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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