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參數資料
| 型號： | FQAF19N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 15 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 699K |
| 代理商： | FQAF19N20 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQAF19N60 | HAND TOOL FOR REEL |
| FQAF20N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQAF22N30 | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQAF22P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQAF27N25 | 250V N-CHANNEL MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQAF19N20L | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQAF19N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQAF20N40 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/03 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQAF22N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FQAF22P10 | 功能描述:MOSFET P-CH/100V/16.6A/0.125OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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