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參數(shù)資料
| 型號： | FQB10N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | CAP 2200PF 100V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| 中文描述： | 10 A, 200 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FQB10N20 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI10N20 | CAP 4700PF 50V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| FQB11N40C | 400V N-Channel MOSFET |
| FQI11N40C | 400V N-Channel MOSFET |
| FQB12N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQB13N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQB10N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| FQB10N20C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQB10N20CTM | 功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB10N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQB10N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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