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參數資料
型號: FQB12P20
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V P-Channel MOSFET
中文描述: 11.5 A, 200 V, 0.47 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 2/9頁
文件大小: 694K
代理商: FQB12P20
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相關PDF資料
PDF描述
FQI12N50 500V N-Channel MOSFET
FQI12N60 600V N-Channel MOSFET
FQI12P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強型MOSFET)
FQI12P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強型MOSFET)
FQI13N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
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FQB12P20TM 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB13N06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQB13N06L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB13N06LTM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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