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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQB12P20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11.5 A, 200 V, 0.47 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 694K |
| 代理商： | FQB12P20 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI12N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQI12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQI12P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI12P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI13N06L | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQB12P20_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQB12P20TM | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB13N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQB13N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQB13N06LTM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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