- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375885 > FQB2P25 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 250V P-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQB2P25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.3 A, 250 V, 4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 559K |
| 代理商： | FQB2P25 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -125V
V
DS
= -50V
V
DS
= -200V
Note : I
D
= -2.3 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
25
150
Notes :
1. V
= 0V
2. 250 s Pulse Test
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
0
3
6
9
12
15
Note : T
J
= 25
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
Notes :
1. V
= -40V
2. 250 s Pulse Test
-55
150
25
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T
C
= 25
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI2P40 | 400V P-Channel MOSFET |
| FQB2P40 | 400V P-Channel MOSFET |
| FQI30N06L | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQB30N06L | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI30N06 | 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQB2P25TM | 功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB2P40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET |
| FQB2P40TM | 功能描述:MOSFET 400V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB30N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQB30N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。