| 型號： | FQB4N80TM |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK |
| 產品培訓模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 800V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 歐姆 @ 1.95A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝： | TO-263-2 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | FQB4N80TMDKR |