| 型號： |
FQB4N80TM |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
7/9頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
800V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
3.9A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
3.6 歐姆 @ 1.95A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
25nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
880pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
3.13W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-263-2
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
FQB4N80TMDKR
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