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參數資料
| 型號： | FQB5P20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 4.8 A, 200 V, 1.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 631K |
| 代理商： | FQB5P20 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
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0
2
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(
(
(
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°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI5P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道增強型MOSFET) |
| FQB60N03L | N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
| FQB6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQI6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQB6N60C | 600V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQB5P20TM | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB60N03L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
| FQB60N03LTM | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQB630TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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