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參數資料
型號: FQB7N80
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 800V N-Channel MOSFET
中文描述: 6.6 A, 800 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 4/9頁
文件大小: 802K
代理商: FQB7N80
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相關PDF資料
PDF描述
FQI7N80 800V N-Channel MOSFET
FQB7P20 200V P-Channel MOSFET
FQI7P20 200V P-Channel MOSFET
FQB85N06 60V N-Channel MOSFET
FQB8N25 250V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQB7N80TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7N80TM_AM002 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7N80TMAM002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
FQB7P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQB7P06TM 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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