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參數(shù)資料
| 型號： | FQB7N80 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 800V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 6.6 A, 800 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 802K |
| 代理商： | FQB7N80 |
10.00
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2.54 TYP
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI7N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQB7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQI7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQB85N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQB8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQB7N80TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB7N80TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB7N80TMAM002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| FQB7P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQB7P06TM | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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