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參數(shù)資料
型號: FQB7P20
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V P-Channel MOSFET
中文描述: 7.3 A, 200 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大小: 713K
代理商: FQB7P20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI7P20 200V P-Channel MOSFET
FQB85N06 60V N-Channel MOSFET
FQB8N25 250V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
FQB7P20TM 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7P20TM_F085 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB85N06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQB85N06TM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
FQB85N06TM_AM002 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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