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參數資料
型號: FQB9N08
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 80V N-Channel MOSFET
中文描述: 9.3 A, 80 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 6/9頁
文件大?。?/td> 547K
代理商: FQB9N08
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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