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參數資料
型號: FQB9N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 9 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 5/9頁
文件大小: 784K
代理商: FQB9N15
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相關PDF資料
PDF描述
FQI9N15 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強型MOSFET)
FQB9N25C 250V N-Channel MOSFET
FQI9N25C 250V N-Channel MOSFET
FQB9N25 250V N-Channel MOSFET
FQI9N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
FQB9N15TM 功能描述:MOSFET N-CH/150V/8.8A/0.4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB9N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQB9N25C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQB9N25CTM 功能描述:MOSFET NCH/250V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB9N25TM 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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