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參數資料
| 型號： | FQB9N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 609K |
| 代理商： | FQB9N50C |
Rev. A, August 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D u ty F ac to r, D = t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 0 .9 3
℃
/W M a x.
J C
(t)
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [se c]
t
1
P
DM
t
2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 4.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI9P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V的P溝道增強型MOSFET) |
| FQL40N50F | 500V N-Channel MOSFET |
| FQL40N50 | CAP 0.1UF 50V 20% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22 |
| FQL50N40 | CAP 1200PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22 |
| FQN1N50C | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQB9N50C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQB9N50CF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQB9N50CFTM | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB9N50CFTM_WS | 功能描述:MOSFET 500V 9A N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB9N50CTM | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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