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參數(shù)資料
型號: FQD17N08
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, NON BOOT, WHITE
中文描述: 12.9 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 595K
代理商: FQD17N08
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, January 2001
F
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
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5.34
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2.30TYP
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(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU17N08 80V N-Channel MOSFET
FQD17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQU17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQD18N20V2 200V N-Channel MOSFET
FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQD17N08LTF 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQD17N08TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD17N08TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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