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參數資料
| 型號： | FQD1N60C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 1 A, 600 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 640K |
| 代理商： | FQD1N60C |
Rev. A, November 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 0.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
※
N otes :
1. Z
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 4.53
℃
/W M ax.
JC
(t)
sin gle pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
t
1
P
DM
t
2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10 ms
DC
100 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD1N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQU1N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD1N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQU1N80 | 800V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD1N60C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQD1N60CTF | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD1N60CTM | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD1N60TF | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD1N60TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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