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參數(shù)資料
| 型號： | FQD20N06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 16.8 A, 60 V, 0.063 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 660K |
| 代理商： | FQD20N06 |
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
0
0
±
0
0
±
0
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±
0
6
±
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±
0
9
±
0
6
±
0
2
±
0
M
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0.10
0.50
±
0.10
1.02
±
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2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
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(2XR0.25)
0
±
0
(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU20N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQD24N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQU24N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQD24N08TF | 80V N-Channel MOSFET |
| FQD26N03L | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD20N06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| FQD20N06_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQD20N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD20N06LE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD20N06LETF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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