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參數(shù)資料

型號(hào)：	FQD2N100
廠商：	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)：	JFETs
英文描述：	1000V N-Channel MOSFET
中文描述：	1.6 A, 1000 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝：	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)：	6/9頁(yè)
文件大小：	622K
代理商：	FQD2N100

Rev. A, February 2002

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms

DUT

Driver

as DUT

controlled by pulse period

10V

( Driver )

( DUT )

Forward Voltage Drop

, Body Diode Forward Current

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

di/dt

D =

Gate Pulse Period

-Gate Pulse Width

Same Type

dv/dt controlled by R

Body Diode

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
FQD2N100TF	功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2N100TM	功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2N100TM_F101	制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FQD2N30	制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQD2N30TM	功能描述:MOSFET N-CH/300V/1.66A/3.7OHM RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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