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參數(shù)資料
| 型號： | FQD2N100 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1000V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 1.6 A, 1000 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | FQD2N100 |
Rev. A, February 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimension
6.60
±
0.20
2.30
±
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±
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M
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2.30
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(5.34)
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(2XR0.25)
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(
(
(
(
(
0
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2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
D-PAK
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQD2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQU2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQD2N40 | 400V N-Channel MOSFET |
| FQU2N40 | 400V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD2N100TF | 功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD2N100TM | 功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD2N100TM_F101 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQD2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FQD2N30TM | 功能描述:MOSFET N-CH/300V/1.66A/3.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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