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參數資料
| 型號： | FQD3N50C |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 500V N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 1043K |
| 代理商： | FQD3N50C |
3
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C/FQU3N50C Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
°
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
Note
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
°
C
150
°
C
25
°
C
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
°
C
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
150
°
C
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
°
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
C
iss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
D
= 3A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU3N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQD3N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQU3N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQU3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD3N50C_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQD3N50C_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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| FQD3N50CTM_WS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:3A/500V MOS-FET |
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