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參數(shù)資料
型號: FQD3N50C
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 500V N溝道MOSFET
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大小: 1043K
代理商: FQD3N50C
4
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C/FQU3N50C Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. ransient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
°
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
°
C]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
°
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100
μ
s
100 ms
DC
1 ms
10 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3. Single Pulse
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 3.5
°
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
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PDF描述
FQU3N50C 500V N-Channel MOSFET
FQD3N60 600V N-Channel MOSFET
FQU3N60 600V N-Channel MOSFET
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FQU3P20 200V P-Channel MOSFET
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FQD3N50CTM_WS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:3A/500V MOS-FET
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