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參數資料
| 型號： | FQD6N15 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 150V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.2 A, 150 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 757K |
| 代理商： | FQD6N15 |
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0.20
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0.10
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5.34
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0.30
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9
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6
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2
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2
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0
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0.76
±
0.10
0.50
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0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
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(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
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[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU7N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU7N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD7N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.3A的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD6N15TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD6N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQD6N25_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQD6N25TF | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD6N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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