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參數資料
型號: FQD6N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 5.2 A, 150 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數: 9/9頁
文件大小: 757K
代理商: FQD6N15
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相關PDF資料
PDF描述
FQU7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU7N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU7N20 200V N-Channel MOSFET
FQD7N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.3A的N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
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FQD6N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQD6N25_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQD6N25TF 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD6N25TM 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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