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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQD6N60C |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 600V的N溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 678K |
| 代理商： | FQD6N60C |
4
www.fairchildsemi.com
FQD6N60C Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
※
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
※
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 2.0 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0.0
1.5
3.0
4.5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
℃
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
θ
JC
(t) = 1.56
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M ax.
℃
single pulse
D=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, Square W ave Pulse D uration [sec]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD6N60CTF | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD6N60CTM | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD6P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQU6P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為-4.7A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQD7N10 | 100V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD6N60CTF | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD6N60CTM | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD6N60CTM_WS | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD6P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQD6P25TF | 功能描述:MOSFET 250V P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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