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參數(shù)資料
| 型號： | FQD7N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.5A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 5.5 A, 200 V, 0.78 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 630K |
| 代理商： | FQD7N20L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
J C
(t) = 2 .7 8
℃
/W M a x.
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t)
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 3.25 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD7N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQU7N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQD7P06 | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| FQU7P06 | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| FQD7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD7N20L_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD7N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Logic Level QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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