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參數(shù)資料
| 型號： | FQD7N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.5A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 5.5 A, 200 V, 0.78 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | FQD7N20L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
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2.30TYP
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MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FQD7N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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